网站首页 > 产品> SCT2160KEC

SCT2160KEC| MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

SCT2160KEC

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 800V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208 mOhm @ 7A, 18V
Supplier Device Package TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
  • vishay general semiconductor

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS Tren...

  • altera fpga 芯片

      随着大数据的发展,计算能力的提升,人工智能近两年迎来了新一轮的爆发。2016年谷歌AlphaGo赢得了围棋大战后,人工智能在产业界和资本圈引起了高...

  • vishay精密电阻

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的超精密薄膜片式电阻---PLTU,其TCR和公差均比前一代器件有大幅度的改善。Vishay D...

  • vishay薄膜电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条M...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9