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SCT2120AFC| MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

SCT2120AFC

描述 :   MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 61nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 500V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 10A, 18V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
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