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SCT2H12NZGC11| MOSFET N-CH 1700V 3.7A

SCT2H12NZGC11

描述 :   MOSFET N-CH 1700V 3.7A

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 184pF @ 800V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Power - Max 35W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Supplier Device Package TO-3PFM
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
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电子元件制造商

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