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SCT2280KEC| MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

SCT2280KEC

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 667pF @ 800V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 108W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 364 mOhm @ 4A, 18V
Supplier Device Package TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA
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