网站首页 > 产品> SCT20N120

SCT20N120| MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

SCT20N120

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

品牌 :   STMicroelectronics

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 175W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 20V
Supplier Device Package HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
  • xilinx ise 仿真

      Xilinx推出 ISE 12软件设计套件,实现了具有更高设计生产力的功耗和成本的突破性优化。ISE 设计套件首次利用“智能”时钟门控技术,将动态...

  • atmel 64

      本文把RFID技术应用到物流系统中,实现了基于RFID技术的物流系统的软硬件原型。  系统硬件设计  为了增强读写模块的通用性和扩展性,...

  • atmel arm9芯片

      atmel的arm9 有AT91RM9200,AT91SAM9系列, 4种芯片可供用户选择,再加上丰富的ARM7系列芯片,atmel应该是目前拥有最丰富的arm芯片线的...

  • vishay电容器

      近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其M39006/33(Style CLR93)钽外壳严格密封的液钽电容器的电容范围。该器件为关键的航空和航...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9