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SCT20N120| MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

SCT20N120

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

品牌 :   STMicroelectronics

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 175W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 20V
Supplier Device Package HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
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