网站首页 > 产品> SCT2160KEC

SCT2160KEC| MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

SCT2160KEC

描述 :   MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 800V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208 mOhm @ 7A, 18V
Supplier Device Package TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
  • vishay thin film

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的超精密薄膜片式电阻---PLTU,其TCR和公差均比前一代器件有大幅度的改善。Vishay D...

  • vishay钽电容代理

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域...

  • vishay薄膜电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条M...

  • xilinx品牌

      中国国际半导体设备及材料展)20周年庆典上,全球领先的可编程逻辑解决方案供应商赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )被国内最权...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9