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IXDI602SI| 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

IXDI602SI

描述 :   2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

品牌 :   IXYS Integrated Circuits Division

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库存: AVAIL

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属性

Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A
Driven Configuration Low-Side
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) -
Input Type Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Supplier Device Package 8-SOIC-EP
Voltage - Supply 4.5 V ~ 35 V
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