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NDD03N60Z-1G| MOSFET N-CH 600V IPAK

NDD03N60Z-1G

描述 :   MOSFET N-CH 600V IPAK

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 312pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 61W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package I-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
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电子元件制造商

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