网站首页 > 产品> IRLHS6342TR2PBF

IRLHS6342TR2PBF| MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

IRLHS6342TR2PBF

描述 :   MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1019pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerVDFN
Power - Max 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
  • 钽电容 vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器...

  • vishay semiconductor diodes division

      日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,...

  • vishay电子

      Vishay展示了3台特地从德国运来的与汽车电子相关的demo,分别是:  (1) 用于48V板网的马达驱动装置  展示的主要参数:用于轻混动力系统的电...

  • altera fpga芯片

      将于今秋面世的华为年度旗舰Mate 10将拥有一颗人工智能(AI)“芯”。华为Mate系列向来是其挑战苹果、三星等国外巨头的产品,因此配置一向强悍。...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9