网站首页 > 产品> SPP07N60CFDHKSA1

SPP07N60CFDHKSA1| MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220

SPP07N60CFDHKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 790pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 83W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 300µA
  • altera fpga管脚

      嵌入式开发人员的需求在于提高系统性能,降低系统功耗,减小电路板面积以及降低系统成本。Altera SoC FPGA为此做出不小的进步,在此基础上...

  • vishay钽电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • xilinx供应商

      人工智能(AI)商机由GPU、ASIC和FPGA三大解决方案正面交锋,台积电和旗下的创意可望成为这股AI热潮大赢家!身为ASIC供应商的创意...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9