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SPP04N60C3HKSA1| MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB

SPP04N60C3HKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 490pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 50W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA
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