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FDFMA2P859T| MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

FDFMA2P859T

描述 :   MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Diode (Isolated)
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 435pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFET 2x2 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
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