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FDFMA2P859T| MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 2x2 Thin |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
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品牌 : STMicroelectronics
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品牌 : Texas Instruments
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品牌 : Atmel
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