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SIS426DN-T1-GE3| MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

SIS426DN-T1-GE3

描述 :   MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1570pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Power - Max 52W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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