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FQB8N60CTM_WS| MOSFET N-CH 600V 7.5A

FQB8N60CTM_WS

描述 :   MOSFET N-CH 600V 7.5A

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1255pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 3.13W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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