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BSH201,215| MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

BSH201,215

描述 :   MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

品牌 :   NXP Semiconductors

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 70pF @ 48V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 417mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA (Min)
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