网站首页 > 产品> BSH205,215

BSH205,215| MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23

BSH205,215

描述 :   MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 200pF @ 9.6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 417mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 430mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id 680mV @ 1mA
  • atmel t5577

      Atmel(R) Corporation 今天宣布推出 ATA5577 330位读写无线电收发器 IDIC(R)。该设备具有独特的 ID 和更长的读写距离,并且经过优化...

  • vishay intertechnologies

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

  • vishay vitramon

    目前无论在工业、汽车、通信、军工还是医疗电子市场,高精度薄膜电阻、超级结三极管(包含MOSFET)、高容值薄膜电容、超级电容、光传感器、IG...

  • xilinx器件

      前软件系统的高度自动化,硬件的不断精简优化以及任意方式的互联互通让系统级应用达到了前所未有的智能化,逐渐影响着嵌入式视觉和工业物联网领域...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9