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SI5513DC-T1-GE3| MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5513DC-T1-GE3
描述 : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A, 2.1A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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