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SI5511DC-T1-GE3| MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

SI5511DC-T1-GE3

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 435pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 3.1W, 2.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
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