网站首页 > 产品> SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB| MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

SP8K1FU6TB

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 230pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • xilinx公司

      中国搜索引擎大厂百度已将人工智能、机器学习视为公司未来发展的主要方向,并对相关领域进行大量投资。 为了强化其公有云服务支持人工智能算法的能...

  • xilinx ise 仿真

      Xilinx推出 ISE 12软件设计套件,实现了具有更高设计生产力的功耗和成本的突破性优化。ISE 设计套件首次利用“智能”时钟门控技术,将动态...

  • xilinx开发板

      SDN可以划分为三层,中间是控制器,用于接收控制指令来操作下面设备的程序,上层是应用App,负责调用控制器提供的接口和数据来实现各种功能,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9