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EFC6601R-A-TR| MOSFET 2N-CH EFCP

EFC6601R-A-TR

描述 :   MOSFET 2N-CH EFCP

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFBGA
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 6-EFCP (2.7x1.81)
Vgs(th) (Max) @ Id -
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电子元件制造商

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