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EFC6612R-TF| MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

EFC6612R-TF

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, No Lead
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 6-CSP (1.77x3.54)
Vgs(th) (Max) @ Id -
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电子元件制造商

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