网站首页 > 产品> IDV30E60C

IDV30E60C| DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP

IDV30E60C

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 21A
Current - Reverse Leakage @ Vr 40µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Reverse Recovery Time (trr) 130ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO220-2 Full Pack
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.05V @ 30A
  • avago芯片

      近日,Cosemi Technologies将其光电检测芯片业务出售给Broadcom的Avago Technologies美国公司,以专注开发和交付各种应用(包括数据中心网络)...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • vishay led

      Vishay发布的这些器件贴装在PCB基板上,具有高亮度和小尺寸的优点,非常适合要求在艰苦环境中可靠工作的各种小型产品。LED使设计者在导航系...

  • 回收vishay芯片

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9