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1N5406| DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5406
描述 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
品牌 : ON Semiconductor
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 170°C |
| Package / Case | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
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