S6BR| DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

S6BR

描述 :   DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 6A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 100V
Diode Type Standard, Reverse Polarity
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 6A
  • xilinx 7系列

      7系列FPGA是Xilinx新推出的基于28nm工艺的FPGA,其中包含三个系列:ArTIx、Kintex和Virtex。因项目要使用kintex7为平台做设计,需要...

  • vishay bccomponents

      日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,将159PUL-SI系列卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时。VishayBCcomponents的...

  • vishay 独石电容

      发布的电容器适合高性能电子设备,包括雷达系统、航空及航天电子等设备中DC/DC转换和功率分配。为保证在这些安全攸关应用中的性能,器件按照M...

  • atmel 编译器

      爱特梅尔Software Framework集成了流行的嵌入式操作系统FreeRTOS,并通过Atmel Gallery供给,为设计人员提供了在其MCU设计中使用实时...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9