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RGT8NS65DGTL| IGBT 650V 8A 65W TO-263S

RGT8NS65DGTL

描述 :   IGBT 650V 8A 65W TO-263S

品牌 :   Rohm Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Gate Charge 13.5nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 65W
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Supplier Device Package LPDS (TO-263S)
Switching Energy -
Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
Test Condition 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
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