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IPD60R520C6| MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 512pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 66W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 230µA |
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