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IPB049N06L3GATMA1| MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

IPB049N06L3GATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8400pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 58µA
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