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IRFH5110TR2PBF| MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

IRFH5110TR2PBF

描述 :   MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3152pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 3.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
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