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SPB11N60S5ATMA1| MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

SPB11N60S5ATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1460pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 500µA
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