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ECH8419-TL-H| MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

ECH8419-TL-H

描述 :   MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 960pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-ECH
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
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