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SI7682DP-T1-GE3| MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

SI7682DP-T1-GE3

描述 :   MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1595pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Power - Max 27.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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