网站首页 > 产品> SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3| MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

SI5445BDC-T1-GE3

描述 :   MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • vishay 钽电容

      Vishay将卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将159 PUL-SI系列卡扣式铝...

  • avago模块

      Avago宣布最新的40G QSFP BIDI 多模光模块,PN AFBR-79EBPZ已经可以批量生产。Avago此款模块主要用于高速数据中心互联和其他...

  • vishay precision group

      (VSH) 6.86 : VIShay宣布将分拆测量与电阻片事业为一家独立上市公司,取名为Vishay Precision Group,分拆作业将以免税配发股票股利给V...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9