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SI7703EDN-T1-GE3| MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

SI7703EDN-T1-GE3

描述 :   MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Diode (Isolated)
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 800µA
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电子元件制造商

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