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SI7784DP-T1-GE3| MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI7784DP-T1-GE3
描述 : MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Power - Max | 27.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
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