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SI3475DV-T1-GE3| MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
SI3475DV-T1-GE3
描述 : MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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