网站首页 > 产品> SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3| MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

SI5435BDC-T1-GE3

描述 :   MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • atmel电源

      微控制器及触摸技术解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布推出三种全新双通道固态照明(solid state lighting, SSL)LED...

  • atmel 公司

      Atmel选择在柴火创客空间举办媒体见面会自然别有用意,因为在1月4日,李克强总理考察柴火创客空间,为深圳创客“添柴”。此次“大人物”的造访说...

  • xilinx fpga开发

      All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc.,(NASDAQ:XLNX))今天宣布,百度已在其公有云中部署了基于赛灵思...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9