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FDMB506P| MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET

FDMB506P

描述 :   MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2960pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-MLP, MicroFET™
Power - Max 1.9W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
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