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FDMB668P| MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2085pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-MLP, MicroFET™ |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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