网站首页 > 产品> FDMB668P

FDMB668P| MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

FDMB668P

描述 :   MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2085pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-MLP, MicroFET™
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
  • altera cyclone iv开发板

      Altera公司日前宣布,开始批量发售Cyclone IV FPGA。公司还宣布开始提供基于Cyclone IV GX的收发器入门开发套件。Altera的Cyclone...

  • avago光电耦合器

      有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出两款新高度集成智能门驱动光电耦合器,ACPL...

  • vishay tvs

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超薄DO-214AA封装的新系列表面贴装TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)...

  • vishay电阻代理商

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新的汽车级Power Metal Strip®电池旁路电阻---WSBS8518...14。该电阻的功率密度达到36W...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9