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IXFT12N100Q| MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

IXFT12N100Q

描述 :   MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

品牌 :   IXYS

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Power - Max 300W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
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