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IXFT14N100| MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268

IXFT14N100

描述 :   MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268

品牌 :   IXYS

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4500pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Power - Max 360W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
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