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FQP6N80| MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220

FQP6N80

描述 :   MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 158W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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