网站首页 > 产品> FQP4N60

FQP4N60| MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220

FQP4N60

描述 :   MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 670pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 106W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
  • atmel 触摸

      电容式触摸技术在智能手机领域正在快速成为市场主流触摸技术,而就表面电容式触摸技术(SCT)和投射电容式触摸技术(PCT)而言,Atmel亚太区市...

  • vishay是什么公司

      Vishay计划先以每股139元新台币的价格要约收购凌耀的全部已发行股票。要约收购的条件是至少大多数已发行股票被出让。如果大多数已发行股票被出让...

  • altera品牌

      Altera今天宣布,公司荣获《中国电子报》的2010年度“十大最受中国市场欢迎的半导体品牌”奖。Altera在于上海举行的半导体设备暨材料国际大会(S...

  • vishay工厂

      Vishay Semiconductors VCNL4035X01采用FiltronTM技术,采用小尺寸4mm x 2.36mm x 0.75mm表面贴装封装,组合了用于接近和环境光的光探测...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9