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IRFD014| MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

IRFD014

描述 :   MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

品牌 :   Vishay Siliconix

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 310pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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