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IRFD010| MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

IRFD010

描述 :   MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

品牌 :   Vishay Siliconix

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 250pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 860mA, 10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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