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STW20NM65N| MOSFET N-CH 650V 19A TO-247

STW20NM65N

描述 :   MOSFET N-CH 650V 19A TO-247

品牌 :   STMicroelectronics

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2500pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 160W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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