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IPA65R125C7XKSA1| MOSFET N-CH 650V TO220-3

IPA65R125C7XKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V TO220-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1670pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 32W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 440µA
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