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IPA65R125C7XKSA1| MOSFET N-CH 650V TO220-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1670pF @ 400V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power - Max | 32W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
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电子元件制造商
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品牌 : STMicroelectronics
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型号 : TMS320F2812PGFAG4
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