网站首页 > 产品> SPW07N60CFDFKSA1

SPW07N60CFDFKSA1| MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247

SPW07N60CFDFKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 790pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 83W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 300µA
  • vishay什么意思

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

  • microchip收购atmel

      微芯科技(Microchip)收购爱特梅尔(Atmel)之举,让微控制器(MCU)市场的前三大供应商排名在最近几个月内再度重新洗牌。  过去两年来这一波前...

  • avago收购

      Marvell (美满电子)公司CEO和总裁双双离职的消息,这让Marvell将被收购的传言又起,Avago(新Broadcom)再度成为臆测对象。  Avago刚刚以...

  • xilinx开发板

      SDN可以划分为三层,中间是控制器,用于接收控制指令来操作下面设备的程序,上层是应用App,负责调用控制器提供的接口和数据来实现各种功能,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9