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IPP50R199CPHKSA1| MOSFET N-CH 550V TO-220

IPP50R199CPHKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 550V TO-220

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 139W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
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