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IPP50R399CPHKSA1| MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 890pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power - Max | 83W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
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